IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 2; Uробоча: 5В; TSSOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: LM358FVT-GE2
8,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 435
Код товару: LM358FVT-GE2
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вхідна напруга зміщення нуля: 1мВ
Вхідний поляризаційний струм: 20нА
Вхідний струм зміщення нуля: 20нА
Кількість каналів: 2
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMT
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 800кГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,3В/мкс
Недоступний
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 24ВDC; 61,16м3/г; 41,7дБА
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 24ВDC; 61,16м3/г; 41,7дБА

501,14 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,29м
Недоступний
Резистор: thin film; 459Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 459Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF

0,34 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 60Ом; SMD; 1А; 0603; R: 0,1Ом; BLM; 180мм
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 60Ом; SMD; 1А; 0603; R: 0,1Ом; BLM; 180мм

8,87 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
60Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 2,52кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 2,52кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RN73H; 75В

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; 6÷36ВDC; SO14; 7мВ; IB: 20нА
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; 6÷36ВDC; SO14; 7мВ; IB: 20нА

39,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
7мВ
Вхідний поляризаційний струм:
20нА
IC: Oпераційний підсилювач; 22МГц; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; SOT23-5
IC: Oпераційний підсилювач; 22МГц; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; SOT23-5

35,48 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,65мВ
Вхідний поляризаційний струм:
75пА
Вхідний струм зміщення нуля:
20пА
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8

13,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1мкА
IC: вимірювальний підсилювач; 1,7МГц; Ch: 1
IC: вимірювальний підсилювач; 1,7МГц; Ch: 1

48,15 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-side; джерело живлення
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMT
Робоча температура:
-40...125°C
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 4; SOP14; 1мВ; IB: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 4; SOP14; 1мВ; IB: 1пА

27,12 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ; туба

65,89 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 2,3МГц; Ch: 4; SOP14; 0,3мВ; IB: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 2,3МГц; Ch: 4; SOP14; 0,3мВ; IB: 1пА

28,38 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА