IC: Oпераційний підсилювач; 800кГц; Ch: 4; Uробоча: 5В; SOP14

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: LM324FJ-GE2
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 259
Код товару: LM324FJ-GE2
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вхідна напруга зміщення нуля: 1мВ
Вхідний поляризаційний струм: 20нА
Вхідний струм зміщення нуля: 20нА
Кількість каналів: 4
Корпус: SOP14
Монтаж: SMT
Робоча напруга: 5В
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 800кГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,3В/мкс
Недоступний
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 1.5m; 1.5A
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 1.5m; 1.5A

1981,76 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP20; IP67
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-912; CuBe; 1.5N; plug-in; L: 34mm
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-912; CuBe; 1.5N; plug-in; L: 34mm

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2мм
Довжина:
34мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: TVS; 114В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 114В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -65÷150°C

435,88 грн

Зворотна напруга макс.:
102В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
114В
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В

0,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

1587,69 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
2
IC: Oпераційний підсилювач; 75кГц; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 3,3мВ; IB: 4пА
IC: Oпераційний підсилювач; 75кГц; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 3,3мВ; IB: 4пА

122,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
3,3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
4пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

120,38 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,004мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 1; ±5÷30ВDC; SO8; 900мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 700кГц; Ch: 1; ±5÷30ВDC; SO8; 900мкВ

1374,18 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,9мВ
Діапазон напруги живлення:
± 5...30В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO8

199,57 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 1; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 1; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
6,6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
IC: Oпераційний підсилювач; 250кГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; 4,6мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 250кГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; 4,6мВ

102,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА