IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 4; ±2,5÷18ВDC,5÷36ВDC; SO14

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: OPA4134UA
354,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: OPA4134UA
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Властивості інтегральних мікросхем: differential
Діапазон напруги живлення: ± 2,5...18В DC; 5...36В DC
Кількість каналів: 4
Корпус: SO14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 8МГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 20В/мкс
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; I2C; 2x256Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; I2C; 2x256Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц

26,42 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Резистор: thin film; 200кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 200кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
1,9нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Провід; JZ-500 HMH; JZ; 5G10мм2; неекранований; 300В,500В; Cu
Провід; JZ-500 HMH; JZ; 5G10мм2; неекранований; 300В,500В; Cu

908,52 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Резистор: thin film; 820кОм; прецизійний; SMD; 2512; 0,5Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 820кОм; прецизійний; SMD; 2512; 0,5Вт; ±0,1%

10,33 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,03 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

545,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
IC: диференціальний підсилювач; 400МГц; Ch: 1; 3÷5ВDC; SO8
IC: диференціальний підсилювач; 400МГц; Ch: 1; 3÷5ВDC; SO8

358,59 грн

Вид об'єднаної схеми:
ADC driver
Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Діапазон напруги живлення:
3...5В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 1ГГц; ±2,5÷6ВDC,5÷12ВDC; SO8; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 1ГГц; ±2,5÷6ВDC,5÷12ВDC; SO8; туба

376,96 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Діапазон напруги живлення:
± 2,5...6В DC; 5...12В DC
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14

86,80 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
4
Корпус:
SO14
IC: вимірювальний підсилювач; 2,7÷5,5ВDC; VSSOP10; ролик,cтрічка
IC: вимірювальний підсилювач; 2,7÷5,5ВDC; VSSOP10; ролик,cтрічка

120,38 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; двонаправлений; монітор напруги та струму
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
16bit ADC
Вхідна напруга:
0...36В
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5; 105дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5; 105дБ

17,74 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Діапазон напруги живлення:
1,8...6В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 2,7÷6ВDC; SOT23-5; 0,1мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 2,7÷6ВDC; SOT23-5; 0,1мВ

27,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
Діапазон напруги живлення:
2,7...6В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 4; ±1,5÷15ВDC,3÷30ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 4; ±1,5÷15ВDC,3÷30ВDC

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,2мкА