IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 1; SSOP5; IB: 1пА; Iio: 1пА

Немає в наявності
Код товару: TC75S51FU(TE85L,F)
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 195
Код товару: TC75S51FU(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Вхідний поляризаційний струм: 1пА
Вхідний струм зміщення нуля: 1пА
Кількість каналів: 1
Корпус: SSOP5
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,5В/мкс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; з важелем
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; з важелем

41,18 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 18В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 18В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

1765,08 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
18В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 210кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 210кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
210кОм
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC

54,49 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
65пА
IC: Oпераційний підсилювач; 730кГц; Ch: 2; ±2,2÷8ВDC,4,4÷16ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 730кГц; Ch: 2; ±2,2÷8ВDC,4,4÷16ВDC

105,17 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
IC: вимірювальний підсилювач; 120кГц; Ch: 1; ±1,3÷18ВDC,2,2÷36ВDC
IC: вимірювальний підсилювач; 120кГц; Ch: 1; ±1,3÷18ВDC,2,2÷36ВDC

600,61 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
micropower; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,3...18В DC; 2,2...36В DC
IC: вимірювальний підсилювач; 45кГц; Ch: 1; 1,7÷5,5ВDC; SC70-6
IC: вимірювальний підсилювач; 45кГц; Ch: 1; 1,7÷5,5ВDC; SC70-6

85,53 грн

Вид об'єднаної схеми:
двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
50мкВ
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC; SO8
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC; SO8

356,06 грн

Вид об'єднаної схеми:
джерело живлення
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний; програмоване підсилення
Вхідна напруга зміщення нуля:
75мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 1,8÷6ВDC; SO8; 1,6мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 1,8÷6ВDC; SO8; 1,6мВ

17,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 300кГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; MSOP8; 120дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 300кГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; MSOP8; 120дБ

102,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
-8...8мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
5пА