1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Аналогові і змішані схеми
  5. Операційні підсилювачі
  6. Операційні підсилювачі SMD

IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 2; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

IC: Oпераційний підсилювач; 18МГц; Ch: 2; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
Немає в наявності
Код товару: OPA2210IDRGR
242,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: OPA2210IDRGR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail output; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля: 35мкВ
Вхідний поляризаційний струм: 7нА
Вхідний струм зміщення нуля: 7нА
Діапазон напруги живлення: ± 2,25...18В DC; 4,5...36В DC
Кількість каналів: 2
Корпус: SON8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 18МГц
Струм без навантаження: 3,25мА
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 6,4В/мкс
Недоступний
Амперметр; на панель; I DC: 0÷15А; Клас: 2; Внутр.резист: 4мОм
Амперметр; на панель; I DC: 0÷15А; Клас: 2; Внутр.резист: 4мОм

1635,20 грн

Вимір:
струму DC
Властивості вимірювальних приладів:
можливість підсвітки масштабу 2 лампочками 6В
Внутрішній резистанс:
4мОм
Діапазон вимірювання струму DC:
0...15А
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 30Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
30Ом
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TUMT3
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; 220В; 400ВDC; 27,5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; 220В; 400ВDC; 27,5мм; ±10%; THT

188,17 грн

Виводи:
2pin
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 2; 3x18AWG; неекранований; 300В; 30,5м; Cu
Провід; Xtra Guard® 2; 3x18AWG; неекранований; 300В; 30,5м; Cu

10928,80 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
C(RU) AWM I/II A/B FT1; UL 1569; UL 20668; VW-1
IC: вимірювальний підсилювач; 200кГц; Ch: 1; SO8; 5В/В,10кВ/В; туба
IC: вимірювальний підсилювач; 200кГц; Ch: 1; SO8; 5В/В,10кВ/В; туба

217,31 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
micropower; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...18В DC; 2,7...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 1; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 1; SO8

139,38 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 1,25...2,75В DC; 2,5...5,5В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5; 4,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5; 4,5мВ

14,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; туба

123,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-0,25...0,25мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 2,5МГц; Ch: 2; 3,3÷36ВDC; SO8; 3мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 2,5МГц; Ch: 2; 3,3÷36ВDC; SO8; 3мВ

42,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; низький рівень шуму; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 1; 2,5÷5,5ВDC; SO8; 106мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 1; 2,5÷5,5ВDC; SO8; 106мкВ

63,99 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
106мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
15пА
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 4; 2,7÷12ВDC; SO14; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 4МГц; Ch: 4; 2,7÷12ВDC; SO14; туба

138,75 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідний поляризаційний струм:
0,1мкА
Вхідний струм зміщення нуля:
30нА