IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±2,7÷5,5ВDC; SO14; 1,2мВ

Немає в наявності
Код товару: OPA4345UA
259,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: OPA4345UA
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид упаковки: туба
Властивості інтегральних мікросхем: rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля: 1,2мВ
Вхідний поляризаційний струм: 10пА
Вхідний струм зміщення нуля: 10пА
Діапазон напруги живлення: ± 2,7...5,5В DC
Кількість каналів: 4
Корпус: SO14
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 3МГц
Струм без навантаження: 300мкА
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 2В/мкс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 48А; Idm: 120А; 56,8Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 48А; Idm: 120А; 56,8Вт; QFN5x6

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
QFN5x6
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C

0,87 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Насадка: шестигранний-bit; HEX 5мм; 1/2"; хром-ванадієва сталь
Насадка: шестигранний-bit; HEX 5мм; 1/2"; хром-ванадієва сталь

527,12 грн

Загальна довжина:
60мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Розмір грота:
HEX 5мм
Резистор: thin film; 76,8Ом; 2,06x1,27x0,51мм
Резистор: thin film; 76,8Ом; 2,06x1,27x0,51мм

21,48 грн

Опір:
76,8Ом
Розміри корпусу:
2,06x1,27x0,51мм
Тип резистора:
thin film
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; 6÷36ВDC; SO14; 7мВ; IB: 20нА
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; 6÷36ВDC; SO14; 7мВ; IB: 20нА

39,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
7мВ
Вхідний поляризаційний струм:
20нА
IC: Oпераційний підсилювач; 22МГц; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; SOT23-5
IC: Oпераційний підсилювач; 22МГц; Ch: 1; 1,8÷5,5ВDC; SOT23-5

35,48 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,65мВ
Вхідний поляризаційний струм:
75пА
Вхідний струм зміщення нуля:
20пА
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 0,7МГц; Ch: 2; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO8

13,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 500кГц; Ch: 4; SOP14; 2мВ; IB: 20000пА
IC: Oпераційний підсилювач; 500кГц; Ch: 4; SOP14; 2мВ; IB: 20000пА

31,55 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
20нА
Вхідний струм зміщення нуля:
20нА
Кількість каналів:
4
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; 1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; 1мВ; IB: 1пА; Iio: 1пА

8,17 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 9мВ; туба

65,89 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 900кГц; Ch: 4; SSOP-B14; 1мВ; IB: 1пА

28,51 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Вхідний струм зміщення нуля:
1пА