IC: Oпераційний підсилювач; 70÷130кГц; Ch: 2; ±2÷8ВDC,4÷16ВDC; SO8

Немає в наявності
Код товару: TLC27L7ID
153,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TLC27L7ID
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид упаковки: туба
Властивості інтегральних мікросхем: прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля: 0,5мВ
Діапазон напруги живлення: ± 2...8В DC; 4...16В DC
Кількість каналів: 2
Корпус: SO8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...85°C
Смуга передачі: 70...130кГц
Тип інтегральної мікросхеми: Oпераційний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 50мВ/мкс
Недоступний
Резистор: metal film; 182мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 182мОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

2,81 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 8кВ; Uce: 70В; DIP4
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 8кВ; Uce: 70В; DIP4

27,24 грн

CTR@If:
80-160%@1mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP4
Недоступний
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; HVSON8; -40÷150°C
IC: рація CAN; Ch: 1; 5Мбіт/с; 4,5÷5,5ВDC; HVSON8; -40÷150°C

69,06 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
Silent mode
Інтерфейс:
CAN
Кількість каналів:
1
Корпус:
HVSON8
Недоступний
Резистор: thick film; 2,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,32кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
26МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±50ppm; Вим: 2x1,6мм; -40÷125°C
26МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±50ppm; Вим: 2x1,6мм; -40÷125°C

58,92 грн

Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...125°C
Розміри:
2x1,6мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

293,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 40А; Полюси: 4; 6кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 40А; Полюси: 4; 6кА

3433,86 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
4
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 2; 3÷15,5ВDC; VSSOP8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,5МГц; Ch: 2; 3÷15,5ВDC; VSSOP8

85,53 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Діапазон напруги живлення:
3...15,5В DC
Кількість каналів:
2
Корпус:
VSSOP8
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 130дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 130дБ

193,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
high voltage gain
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,8мВ
Вхідний поляризаційний струм:
4пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; SO8; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 2; SO8; туба

253,42 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...2,75В DC; 2,7...5,5В DC
Кількість каналів:
2
IC: підсилювач PGA; 1,5МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC,9÷36ВDC; SO8; 200мкВ
IC: підсилювач PGA; 1,5МГц; Ch: 1; ±4,5÷18ВDC,9÷36ВDC; SO8; 200мкВ

700,71 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 4,5...18В DC; 9...36В DC
Кількість в наборі/упаковці:
75шт.
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; Uробоча: 2,2÷5,5В; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; Uробоча: 2,2÷5,5В; SO8

160,29 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Кількість каналів:
2
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-6; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-6; 2мВ

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
525пА
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 1; ±5÷20ВDC,10÷40ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 15МГц; Ch: 1; ±5÷20ВDC,10÷40ВDC; SO8

113,41 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Діапазон напруги живлення:
± 5...20В DC; 10...40В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8