IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II

Немає в наявності
Код товару: IS42S32400F-6TLI-TR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: IS42S32400F-6TLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSOP86 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx32битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0402

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
4,7нФ
Недоступний
Перемикач: кулачковий вольтметрів; Фікс.поз: 7; 20А; Полюси: 3+N
Перемикач: кулачковий вольтметрів; Фікс.поз: 7; 20А; Полюси: 3+N

3189,31 грн

Кількість всіх позицій:
7
Кількість полюсів:
3+N
Кількість фіксованих позицій:
7
Клас герметичності:
IP65 спереду
Connector: wire-board; male; data; Inom: 13A; PIN: 7; 3mm; Imax: 12.5A
Connector: wire-board; male; data; Inom: 13A; PIN: 7; 3mm; Imax: 12.5A

141,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
7
Недоступний
Резистор: thick film; 191кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 191кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
191кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,60 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
0Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
68нФ
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD