IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C4M32S-7BCNTR
478,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS4C4M32S-7BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA90
Монтаж: SMD
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 1Mx32битx4
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 5,4нс
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; WR25; 200В
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; WR25; 200В

3,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68нФ
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 50÷180МГц; Ch: 1; ±4,5÷16ВDC,9÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 50÷180МГц; Ch: 1; ±4,5÷16ВDC,9÷32ВDC

259,76 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
voltage feedback
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мВ
Вхідний поляризаційний струм:
6мкА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,52 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,3пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,82кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
5x2,5мм
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 61,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 61,9кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,32 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD