IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 200МГц; 35нс; FBGA24; -40÷105°C; лоток

Немає в наявності
Код товару: S70KL1282GABHV020
311,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3380
Крок додавання: 3380
Код товару: S70KL1282GABHV020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: DRAM
Вид упаковки: лоток
Інтерфейс: HyperBus
Корпус: FBGA24
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...105°C
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 35нс
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; R46; 100нФ; 560ВDC; 275ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; R46; 100нФ; 560ВDC; 275ВAC; THT

25,34 грн

Alias:
46KI310000M1M
Вид конденсатора:
X2
Довжина відводів:
4мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 6,3ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 6,3ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0201

0,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 182Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 182Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Роз’єм: HDC; модуль; гніздовий; 10А; 50В; PIN: 2; затискання
Роз’єм: HDC; модуль; гніздовий; 10А; 50В; PIN: 2; затискання

909,15 грн

Engineering PN:
Han Brid-bu-lp Cu-Bus-Modul(G) bestückt
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

0,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 681Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 681Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
681Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 14,3Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 14,3Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,09 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD