IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 200МГц; 35нс; FBGA24; -40÷85°C; лоток

Немає в наявності
Код товару: S70KS1282GABHI020
287,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 338
Крок додавання: 338
Код товару: S70KS1282GABHI020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: DRAM
Вид упаковки: лоток
Інтерфейс: HyperBus
Корпус: FBGA24
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...2В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 35нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 25В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 25В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
10Ом
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; стандартна; PIN: 2; прямий; 5мм
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; стандартна; PIN: 2; прямий; 5мм

11,53 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Клас горючості:
UL94V-2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201

1,86 грн

Alias:
KGM03AR50J474KH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 10нФ; 300В; THT; ±10%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 10нФ; 300В; THT; ±10%; 15мм

3,61 грн

Вид конденсатора:
Y2
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Монтаж:
THT
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD