IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 200МГц; 35нс; FBGA24; -40÷85°C; лоток

Немає в наявності
Код товару: S70KL1282GABHI020
287,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3380
Крок додавання: 3380
Код товару: S70KL1282GABHI020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: DRAM
Вид упаковки: лоток
Інтерфейс: HyperBus
Корпус: FBGA24
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 35нс
Недоступний
Діод: TVS; 6,67÷7,37В; 48,5А; двоспрямована; DO15,DO204AC; 500Вт
Діод: TVS; 6,67÷7,37В; 48,5А; двоспрямована; DO15,DO204AC; 500Вт

20,91 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

1,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Штекерний; PIN: 4; 4А; 60В; IP67; SAI; екранований; вилка; метал
Штекерний; PIN: 4; 4А; 60В; IP67; SAI; екранований; вилка; метал

1112,52 грн

Alias:
SAISGS-M-4A-3.5/5.5-M8-IF
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 15А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 15А

17,11 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
UL
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±0,5%; 200В

2,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD