IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54

Немає в наявності
Код товару: IS42RM16800H-75BLI
255,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 348
Крок додавання: 348
Код товару: IS42RM16800H-75BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,3...3В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 133МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7,5нс
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 25МГц; QFN24; 8кБRAM,64кБFLASH; ШИМ: 3
IC: мікроконтролер ARM; 25МГц; QFN24; 8кБRAM,64кБFLASH; ШИМ: 3

107,70 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI x2; USART; USB
Кількість входів/виходів:
17
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,3пФ
Датчик: фотоелектричний; прямий; Дальність: 0÷500мм; PNP; 100мА
Датчик: фотоелектричний; прямий; Дальність: 0÷500мм; PNP; 100мА

3219,72 грн

Вид датчика:
прямий
Дальність:
0...0,5м
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP65; IP67
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

4,43 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39Ом; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 330Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD