IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54

Немає в наявності
Код товару: IS42VM16800H-75BLI
245,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 348
Крок додавання: 348
Код товару: IS42VM16800H-75BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,95В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 133МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7,5нс
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 144МГц; LQFP48; 2,7÷3,6ВDC; Cmp: 1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 144МГц; LQFP48; 2,7÷3,6ВDC; Cmp: 1

59,55 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PWM
Інтерфейс:
CAN FD; I2C; I2S x2; I3C; LPUART; SPI x2; UART x2; USART x2; USB
Кількість входів/виходів:
38
Недоступний
Резистор: thick film; 4,02кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 4,02кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 30А; Iвих: 5А; на панель; 50Гц; 720В
Трансформатор: струмовий; Iвх: 30А; Iвих: 5А; на панель; 50Гц; 720В

7227,58 грн

Вихідний струм:
5А
Вхідний струм:
30А
Клас точності:
1 @max 10ВА
Максимальна напруга:
720В
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 470мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 470мкФ; 25ВDC; ±20%

50,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Індикатор: LED; опукла; червоний/зелений; 24ВDC; 24ВAC; Ø13мм
Індикатор: LED; опукла; червоний/зелений; 24ВDC; 24ВAC; Ø13мм

338,95 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
опукла
Властивості індикаторів:
спільний катод
Діаметр діода ДУВ:
16мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

338,32 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
33мА
Вхідна напруга:
12В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 910пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 910пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,39 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

808,41 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1163,84 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD