IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54

Немає в наявності
Код товару: IS42S16800F-7BLI
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 348
Крок додавання: 348
Код товару: IS42S16800F-7BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7нс
Недоступний
Реактор: феритовий; 10мкГн; 2,3А; R: 80мОм; ±20%
Реактор: феритовий; 10мкГн; 2,3А; R: 80мОм; ±20%

17,93 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
10мкГн
Опір:
80мОм
Робочий струм:
2,3А
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

4028,13 грн

Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; ABS
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 9pin,D-Sub HD 15pin; ABS

465,66 грн

Застосування роз’ємів:
D-Sub 9pin; D-Sub HD 15pin
Матеріал корпусу:
ABS
Модель роз’єму:
металізовані
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 910кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 910кОм; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD