1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54

IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54
Немає в наявності
Код товару: IS42S16800F-6BLI-TR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS42S16800F-6BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Нагрівальний елемент: обігрівач; CREX 020; 50Вт; Uробоча: 230В
Нагрівальний елемент: обігрівач; CREX 020; 50Вт; Uробоча: 230В

7597,58 грн

Виводи:
силіконовий кабель 3x0,75мм2 x 1000мм
Клас герметичності:
IP66
Нагрівальна потужність:
50Вт
Номінальна напруга:
0,23кВ
Діод: TVS; 3кВт; 133÷147В; 15,54А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 3кВт; 133÷147В; 15,54А; двоспрямована; SMC

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
120В
Корпус:
SMC
Недоступний
Світловий бар'єр безпеки; H: 670мм; 0,5÷20м; IP67; F3SG-PG; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 670мм; 0,5÷20м; IP67; F3SG-PG; 24ВDC

47142,10 грн

Вид виходу 1:
NPN; PNP
Висота:
670мм
Дальність:
0,5...20м
Категорія безпеки:
4
Недоступний
Діод: TVS; 56,15В; 194,3А; двоспрямована; ±5%; P600; 15кВт; 15KPA
Діод: TVS; 56,15В; 194,3А; двоспрямована; ±5%; P600; 15кВт; 15KPA

451,72 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
48В
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 4А; Iмакс: 100А; Iперемик.max: 20А
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 4А; Iмакс: 100А; Iперемик.max: 20А

5,07 грн

Максимальна напруга:
16В
Максимальний струм:
100А
Монтаж:
THT
Номінальний струм:
4А
Трансформатор: імпульсний; блок живлення; 1,04мГн; 5Вт
Трансформатор: імпульсний; блок живлення; 1,04мГн; 5Вт

271,79 грн

Використання:
блок живлення
Індуктивність:
1,04мГн
Потужність:
5Вт
Супутні товари:
LNK616PG
Резистор: дротяний; 680Ом; цементний; THT; 15Вт; ±5%; Ш0,8x35мм
Резистор: дротяний; 680Ом; цементний; THT; 15Вт; ±5%; Ш0,8x35мм

24,33 грн

Вид резистора:
цементний
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
680Ом
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

808,41 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1163,84 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD