IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54

Немає в наявності
Код товару: IS42S16800F-6BL-TR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS42S16800F-6BL-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Резистор: thin film; 20Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; ERA2AKD
Резистор: thin film; 20Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; ERA2AKD

1,57 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 470мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 470мкФ; 16ВDC; ±20%

38,01 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
11,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 27; THT; 3A; 250V

155,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

80,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 20Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 20Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 64,9Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 64,9Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 14Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 14Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD