IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54

Немає в наявності
Код товару: IS45S16800F-6BLA1
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 348
Крок додавання: 348
Код товару: IS45S16800F-6BLA1
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Connector: IDC; male; data; PIN: 50; SEK Standard; straight; THT
Connector: IDC; male; data; PIN: 50; SEK Standard; straight; THT

254,69 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

448,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 35,7кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 35,7кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 330мкФ; 10ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 330мкФ; 10ВDC; ±20%

48,15 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 45,3кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 45,3кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1172,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD