IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AS4C8M16SA-6TIN
579,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C8M16SA-6TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 5,4нс
Недоступний
Резистор: thick film; 6,81Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,81Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
6,81Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 2,1кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,1кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 62кОм; 1210; 330мВт,333мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62кОм; 1210; 330мВт,333мВт; ±1%; -55÷155°C

2,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 8÷20ВDC,16÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP3
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 8÷20ВDC,16÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP3

146,98 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
1А
Connector: D-Sub; PIN: 28; socket; data transfer; right; soldering
Connector: D-Sub; PIN: 28; socket; data transfer; right; soldering

651,29 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
28
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 46,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 46,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73H; 75В

2,15 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 44,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 44,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD