1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
Немає в наявності
Код товару: AS4C8M16SA-6TAN
812,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C8M16SA-6TAN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 5,4нс
Недоступний
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 6А; 3,8А; Igt: 15мА; DPAK; SMD
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 6А; 3,8А; Igt: 15мА; DPAK; SMD

38,01 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; 2-4 x Li-Ion; SON8
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; 2-4 x Li-Ion; SON8

138,11 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер зарядки акумуляторів
Кількість акумуляторів:
2-4 x Li-Ion
Корпус:
SON8
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: PMIC; контролер PWM; SO16; -40÷85°C; 16÷22В; туба; SMPS; 0÷50%
IC: PMIC; контролер PWM; SO16; -40÷85°C; 16÷22В; туба; SMPS; 0÷50%

678,54 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер PWM
Вид упаковки:
туба
Використання:
SMPS
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,19 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Провід: вимірювальний; chainflex® CF11; гибридний; жовто-зелений
Провід: вимірювальний; chainflex® CF11; гибридний; жовто-зелений

1026,36 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно; самонесучий
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD