IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C8M16SA-6BINTR
433,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C8M16SA-6BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA54
Монтаж: SMD
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 5,4нс
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 1мм2; ПВХ; червоний; 2000м
Провід; ÖLFLEX® WIRE MS 2.1; тросик; Cu; 1мм2; ПВХ; червоний; 2000м

20,84 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В
Резистор: thick film; 22кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; 75В

0,20 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Мікроперемикач SNAP ACTION; OFF-(ON); V; IP40; 100МОм; срібло
Мікроперемикач SNAP ACTION; OFF-(ON); V; IP40; 100МОм; срібло

276,86 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Електрична стійкість:
300000 цикли
Клас герметичності:
IP40
Матеріал контакту:
срібло
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ

72,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD