IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144

Немає в наявності
Код товару: AS4C4M32D1A-5BIN
574,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 189
Крок додавання: 189
Код товару: AS4C4M32D1A-5BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR1; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: BGA144
Монтаж: SMD
Пам'ять: 128Мб DRAM
Робоча напруга: 2,5В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx32бит
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 15нс
Свердло; для бетону; Ø: 10мм; L: 210мм; SDS-Plus®
Свердло; для бетону; Ø: 10мм; L: 210мм; SDS-Plus®

55,75 грн

Вид рукоятки:
SDS-Plus®
Властивості свердел:
подвійна спіраль забезпечує швидке видалення відходів
Діаметр свердла:
10мм
Довжина:
210мм
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; 45В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23,TO236AB
Транзистор: PNP; біполярний; 45В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23,TO236AB

1,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
68пФ; 500ВDC; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷125°C
68пФ; 500ВDC; THT; ±5%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷125°C

108,97 грн

Виводи:
радіальні
Довжина відводів:
5,9мм
Допуск:
±5%
Ємність:
68пФ
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 180В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 180В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В

323,75 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
180В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 33Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 33Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
33Ом
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD