IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx16бит; 800МГц; 13,75нс; LWBGA96

Немає в наявності
Код товару: IS43TR16K01S2AL-125KBL
3039,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 136
Крок додавання: 136
Код товару: IS43TR16K01S2AL-125KBL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: LWBGA96
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,35В DC
Пам'ять: 16Гб DRAM
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 1Гx16бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

601,24 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
16мм
Довжина:
21,9мм
Електричний монтаж:
push-in
Недоступний
Резистор: thin film; 3,09кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 3,09кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; EXTREME; Iном: 55А; 600ВAC
Роз’єм: провід-плата; гніздо; гніздовий; EXTREME; Iном: 55А; 600ВAC

35,48 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Максимальна напруга:
600В AC
Максимальний струм:
55А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 180мм

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 160А; 125Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 160А; 125Вт; TO220-3

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36,3нКл
Корпус:
TO220-3
Недоступний
Резистор: thick film; 8,25кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,25кОм; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
8,25кОм
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 1,5мкс; SMA; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 40А
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 1,5мкс; SMA; Ufmax: 1,1В; Ifsm: 40А

6,97 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Ємність:
12пФ
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD