IC: пам'ять DRAM; 16ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1600МГц; 13,75нс; FBGA96

Немає в наявності
Код товару: AS4C1G16D4-062BCN
11445,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1140
Крок додавання: 1140
Код товару: AS4C1G16D4-062BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR4; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Гб DRAM
Робоча напруга: 1,2В
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 1Гx8бит
Тактова частота: 1,6ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 30А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; Iконтактів max: 30А

233,78 грн

Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
29x12,4x25мм
Кількість пін:
8
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 250V

167,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 410мВт; 9,1В; SMD; SOT23; одиночний діод
Діод: зенера; 410мВт; 9,1В; SMD; SOT23; одиночний діод

17,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
9,1В
Корпус:
SOT23
Недоступний
Резистор: thin film; 388Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 388Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

34,85 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 3,3А; R: 10мОм; -20÷50%; DTS-20; вертикальне
Реактор: дротяний; THT; 3,3А; R: 10мОм; -20÷50%; DTS-20; вертикальне

96,30 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Допуск:
-20...50%
Застосування реакторів:
гасіння вищих гармонік; імпульсні блоки живлення; фільтри EMI/RFI; як перешкодоподавляючі елементи
Індуктивність одинарної обмотки:
1мГн
Недоступний
Резистор: thin film; 120Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В
Резистор: thin film; 120Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73R; 50В

4,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD