IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 512Кx16битx2; 166МГц; 6нс; TFBGA60

Немає в наявності
Код товару: IS42S16100H-6BLI-TR
161,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS42S16100H-6BLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TFBGA60
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 16Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16битx2
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 20А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 20А

52,58 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
UL
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 500ВDC; Ø30x50мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 500ВDC; Ø30x50мм

392,80 грн

Висота:
50мм
Властивості конденсаторів:
компактні розміри корпусу
Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Patch cord; Cat 6a; 500мм; тросик; Cu; 26AWG; -40÷80°C
Patch cord; Cat 6a; 500мм; тросик; Cu; 26AWG; -40÷80°C

2541,18 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Діаметр жили:
26AWG
Довжина кабелю:
0,5м
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; BRT; 50В; 100мА; 270мВт; SOT363
Транзистор: NPN; біполярний; BRT; 50В; 100мА; 270мВт; SOT363

4,88 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 22нФ; 100В; X7R; ±10%; THT; 2,5мм

3,10 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Монтаж:
THT
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD