IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C128M8D3LB-12BCN
1224,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 242
Крок додавання: 242
Код товару: AS4C128M8D3LB-12BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,35В
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 128Мx8бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 13,75нс
Ключ: плоский; двосторонній; 17мм,19мм; хром-ванадієва сталь
Ключ: плоский; двосторонній; 17мм,19мм; хром-ванадієва сталь

409,91 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 3110; ISO 3318
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір ключа:
17мм; 19мм
Роз’єм: живлення DC; гніздо; роз'єм живлення; ES-250A; 250А; 1,5кВ
Роз’єм: живлення DC; гніздо; роз'єм живлення; ES-250A; 250А; 1,5кВ

472,63 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Застосування роз’ємів:
для систем зберігання енергії
Кількість пін:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 1,14кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,14кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,5пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 22,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 22,3кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Насадка: 6-гранна; до кіл,ударний; хром-молібденова сталь; 1/2"
Насадка: 6-гранна; до кіл,ударний; хром-молібденова сталь; 1/2"

497,34 грн

Вид ключа:
до кіл; ударний
Вид рукоятки:
квадрат
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Розмір гнізда:
HEX 21мм
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

901,55 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD