IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C128M8D3LB-12BAN
1531,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 242
Крок додавання: 242
Код товару: AS4C128M8D3LB-12BAN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3L; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,35В
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 128Мx8бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 36,5Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 1,3кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 1,3кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

24,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Провід; ÖLFLEX® HEAT 260 SC; 1x24AWG; тросик; Cu; PTFE; синій
Провід; ÖLFLEX® HEAT 260 SC; 1x24AWG; тросик; Cu; PTFE; синій

88,06 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 300мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 300мА

492,90 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
0,3А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 1,91Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,91Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,91Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS збірка; 13,3В; 0,3кВт; двоспрямована; SOIC8; Ch: 5
Діод: TVS збірка; 13,3В; 0,3кВт; двоспрямована; SOIC8; Ch: 5

128,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
75пФ
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
5
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD