IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C128M8D3LB-12BIN
1377,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 242
Крок додавання: 242
Код товару: AS4C128M8D3LB-12BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3L; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,35В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 128Мx8бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Резистор: thin film; 30кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%; RN73H; 150В
Резистор: thin film; 30кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%; RN73H; 150В

29,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздовий; коаксіальний; прямий; 75Ом; паяння
Роз’єм: BNC; гніздо; гніздовий; коаксіальний; прямий; 75Ом; паяння

263,56 грн

Alias:
B6551A1-NT3G-75
Connector family:
коаксіальний
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Резистор: metal film; 130Ом; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; -65÷155°C
Резистор: metal film; 130Ом; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; -65÷155°C

14,32 грн

Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±0,1%
Опір:
130Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

5,64 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; NQ; 200В

2,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 36,5Ом; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

46,88 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Перетворювач: DC/DC; 45Вт; Uвх: 18÷32ВDC; Uвих: 21÷126ВDC; Iвх: 2,1А
Перетворювач: DC/DC; 45Вт; Uвх: 18÷32ВDC; Uвих: 21÷126ВDC; Iвх: 2,1А

510,01 грн

Використання:
LED
Вихідна напруга:
21...126В DC
Вихідний струм:
0,35А
Властивості блоків перетворювачів:
PWM-димминг
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD