IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78

Немає в наявності
Код товару: AS4C128M8D3B-12BAN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 242
Крок додавання: 242
Код товару: AS4C128M8D3B-12BAN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 128Мx8бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Кінцевий датчик; NO + NC; 6А; 400ВAC; PG11; IP67; 40x49x33мм
Кінцевий датчик; NO + NC; 6А; 400ВAC; PG11; IP67; 40x49x33мм

1077,67 грн

Вид головки:
гумове ущільнення; стрижень на пружинному елементі загальною довжиною 116,5 мм
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NO + NC
Макс. струм контактів:
6А
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 93,1Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 2.54mm; nomex
Connector: jumper cable; data; Flexstrip; Tape ph: 2.54mm; nomex

150,15 грн

Connector family:
data
Виводи:
прямі
Довжина:
50,8мм
Кількість ліній:
11
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

11,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI,DALI 2,NFC; 40Вт; 50÷250ВDC
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI,DALI 2,NFC; 40Вт; 50÷250ВDC

956,67 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
50...250В DC
Вихідний струм:
50...400мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 562кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 562кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD