IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60

Немає в наявності
Код товару: IS43DR81280C-25DBLI
357,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 242
Крок додавання: 242
Код товару: IS43DR81280C-25DBLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA60
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Mx8битx8
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 5мм; Довж.заг: 126мм
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 5мм; Довж.заг: 126мм

116,57 грн

Вид ключа:
кулевидна
Загальна довжина:
126мм
Розмір ключа:
HEX 5мм
Тип ключа:
шестигранний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; SMT; 3A; 250V

115,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 115кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 115кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,21 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 120МГц; LQFP100; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 120МГц; LQFP100; 1,8÷3,6ВDC

575,90 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; RNG
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; I2S; SDIO; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
82
Недоступний
Резистор: thick film; 2,15кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 2,15кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
2,15кОм
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD