IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 32Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C32M32MD2A-25BINTR
669,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS4C32M32MD2A-25BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA134
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,2...1,8В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Mx32бит
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 18нс
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 20В; If: 200Аx2; TO240AA
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 20В; If: 200Аx2; TO240AA

3099,98 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
TO240AA
Недоступний
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 178Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; RN73H; 50В

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 50ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 10мкФ; 50ВDC; Ø6,3x5,8мм; ±20%

6,91 грн

Висота:
5,8мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Діаметр:
6,3мм
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; DPDT; 0,1A/30ВDC; прозорий; LP4; THT
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; DPDT; 0,1A/30ВDC; прозорий; LP4; THT

148,89 грн

Виводи:
для друку
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Колір кнопки:
прозорий
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 6÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1А; SIP3; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 6÷72ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 1А; SIP3; THT

507,48 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
6...72В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 3,3В; SMD; DO213AB,MELF glass; 100мкА
Діод: зенера; 1Вт; 3,3В; SMD; DO213AB,MELF glass; 100мкА

171,06 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,3В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Резистор: thick film; 187кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 187кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD