IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96

Немає в наявності
Код товару: AS4C64M16D3B-12BCNTR
1033,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS4C64M16D3B-12BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 64Mx16бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 1А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 1А; Полюси: 1

1012,42 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Connector: wire-wire; male; data; 125V; PIN: 15; polyamide; 2mm
Connector: wire-wire; male; data; 125V; PIN: 15; polyamide; 2mm

9,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
15
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 512кБEEPROM; SPI; 64Кx8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 512кБEEPROM; SPI; 64Кx8бит; SOIC8; послідовний

107,07 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thick film; 374Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 374Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 2,61кОм; 1206; 250мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,61кОм; 1206; 250мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,61кОм
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD