IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96

Немає в наявності
Код товару: AS4C64M16D3B-12BINTR
1148,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: AS4C64M16D3B-12BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 64Mx16бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Роз’єм: провід-провід/плата; гніздо; гніздовий; SL; PIN: 6; прямий
Роз’єм: провід-провід/плата; гніздо; гніздовий; SL; PIN: 6; прямий

68,42 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
6
Механічний монтаж:
для проводу
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

1,01 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Конденсатор: поліпропиленовий; 18мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø28,8x62мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 18мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø28,8x62мм

750,76 грн

Виводи:
осьові
Висота:
62мм
Діаметр:
28,8мм
Допуск:
±2%
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210

3,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 8A/250ВAC; DK
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 8A/250ВAC; DK

464,39 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
20x15x10мм
Конфігурація контактів:
DPST-NO
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,80 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD