IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84

Немає в наявності
Код товару: AS4C64M16D2A-25BIN
1607,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 209
Крок додавання: 209
Код товару: AS4C64M16D2A-25BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA84
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 64Mx16бит
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
EMI/EMC екранувальний мат: екрануюча; 120x120мм; 11шт.
EMI/EMC екранувальний мат: екрануюча; 120x120мм; 11шт.

9186,53 грн

Кількість в наборі/упаковці:
11шт.
Розміри:
120x120мм
Тип мату EMI/EMC:
екрануюча
Недоступний
Вентилятор: DC; 75x75x30мм; blower; 24ВDC; 26,33м3/г; 42дБА; 26AWG
Вентилятор: DC; 75x75x30мм; blower; 24ВDC; 26,33м3/г; 42дБА; 26AWG

570,20 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Резистор: thick film; 86,6кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 86,6кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; 0,027мкФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1825
Конденсатор: керамічний; 0,027мкФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1825

84,90 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
27нФ
Корпус - дюйм:
1825
Ферит: кільцевий; Довж: 16мм; Øвнутр: 26мм; Øзовн: 58мм; sendust
Ферит: кільцевий; Довж: 16мм; Øвнутр: 26мм; Øзовн: 58мм; sendust

417,51 грн

Діаметр внутрішній:
26мм
Діаметр зовнішній:
58мм
Довжина:
16мм
Коефіцієнт індуктивності AL:
287нГн
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,63 грн

Alias:
KGM21NR71H152KM
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,2пФ
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD