IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 64Mx16бит; 1066МГц; 12,5нс; TWBGA96

Немає в наявності
Код товару: IS43TR16640C-125JBLI
280,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 190
Крок додавання: 190
Код товару: IS43TR16640C-125JBLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA96
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,5В DC
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 64Mx16бит
Тактова частота: 1,066ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6; туба
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: Darlington; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; DIP6; туба

27,24 грн

Вид виходу:
Darlington
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 400ВDC; 250ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 400ВDC; 250ВAC

9,25 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: ізольований підсилювач; 3,75кВ
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: ізольований підсилювач; 3,75кВ

548,02 грн

Вид виходу:
ізольований підсилювач
Кількість каналів:
1
Корпус:
Gull wing 8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7S; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 50В; X7S; ±10%; SMD; 1206

5,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD