IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 8Mx16битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84

Немає в наявності
Код товару: IS46DR16640C-3DBLA2
390,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 209
Крок додавання: 209
Код товару: IS46DR16640C-3DBLA2
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA84
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 1Гб DRAM
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 8Mx16битx8
Тактова частота: 333МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 15нс
Гніздовий; AMPMODU; Iном: 2А; 125В; PIN: 14; pick and place; 2мм
Гніздовий; AMPMODU; Iном: 2А; 125В; PIN: 14; pick and place; 2мм

219,84 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT; паяння
Кількість пін:
14
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
IC: цифровий; інвертор,тригер Шмітта; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS,TTL
IC: цифровий; інвертор,тригер Шмітта; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS,TTL

0,00 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
NOT
Вид об'єднаної схеми:
інвертор; тригер Шмітта
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 1210

51,95 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 4,12кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,91мГн; R: 155Ом; ±10%; 65mV/uT
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,91мГн; R: 155Ом; ±10%; 65mV/uT

34,21 грн

Високосортність:
18
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RFID
Індуктивність:
4,91мГн
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 100В; X6S; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 100В; X6S; ±10%; SMD; 1206

25,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: гибридний; H: 9,5мм; 100мкФ; 35ВDC; 1,8А; SMD; RHA; ±20%
Конденсатор: гибридний; H: 9,5мм; 100мкФ; 35ВDC; 1,8А; SMD; RHA; ±20%

42,45 грн

Висота:
9,5мм
Діаметр:
8мм
Діаметр роліка макс.:
380мм
Допуск:
±20%
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD