IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7÷1,95В; 166МГц; 6,5нс

Немає в наявності
Код товару: AS4C16M16MD1-6BCN
348,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 160
Крок додавання: 160
Код товару: AS4C16M16MD1-6BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR1; SDRAM
Корпус: FPBGA60
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча напруга: 1,7...1,95В
Робоча температура: -30...85°C
Структура пам'яті: 16Mx16 бит
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6,5нс
Connector: wire-board; male; data; PIN: 3; 5.08mm; tinned; straight
Connector: wire-board; male; data; PIN: 3; 5.08mm; tinned; straight

16,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Резистор: thick film; 3,6кОм; 0612; 750мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,6кОм; 0612; 750мВт; ±1%; -55÷155°C

1,54 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 10м; вилка; 60ВDC

1422,33 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP69K
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

7,16 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 620Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 620Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 2,2мкФ; 160ВAC; 250ВDC; 27,5мм; ±5%
Конденсатор: поліестровий; 2,2мкФ; 160ВAC; 250ВDC; 27,5мм; ±5%

51,32 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Довжина відводів:
6мм
Діод: TVS; 600Вт; 224÷247В; 1,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 224÷247В; 1,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; SMBJ

18,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
200В
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD