IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C16M16MSA-6BIN
867,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C16M16MSA-6BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR1; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA54
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча напруга: 1,7В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Mx16 бит
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 5,5нс
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 120Вт; 113÷370ВDC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 120Вт; 113÷370ВDC; OUT: 1

1340,60 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
10А
Резистор: thick film; 470Ом; 0402; 63мВт; ±1%; AC; 1x0,5мм
Резистор: thick film; 470Ом; 0402; 63мВт; ±1%; AC; 1x0,5мм

0,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 316кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 316кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 22,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 22,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 8м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 8м; тросик

2481,63 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thin film; 953Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 953Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD