IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C

Немає в наявності
Код товару: AS4C16M16D1-5BCNTR
558,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C16M16D1-5BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR1; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча напруга: 2,5В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 16Mx16 бит
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 15нс
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,SSP; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,SSP; SMD

100,10 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
A/E/USART; GPIO; ICSP; SSP
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Знак безпеки; вимога; ПВХ; W: 200мм; H: 200мм
Знак безпеки; вимога; ПВХ; W: 200мм; H: 200мм

0,00 грн

Вид знаку:
вимога
Висота:
200мм
Відповідність стандарту:
PN EN ISO 7010:2012
Матеріал:
ПВХ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

178,66 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

138,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 1А; 625мВт; SOT363
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 1А; 625мВт; SOT363

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 909кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 909кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

42,45 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

808,41 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1163,84 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD