IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C16M16SA-6TCNTR
727,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS4C16M16SA-6TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 16Mx16 бит
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 5,4нс
Дисплей: LED; 7-сегментний; 20,4мм; 0,8"; Кільк.зн: 4; 10÷20мкд
Дисплей: LED; 7-сегментний; 20,4мм; 0,8"; Кільк.зн: 4; 10÷20мкд

86,80 грн

Вид дисплея:
7-сегментний
Висота знаку:
20,4мм, 0,8"
Довжина хвилі λd:
572нм
К-ть знаків:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 324кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 324кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Кабель: до датчиків; PIN: 4; вилка; IP68; автоматика; Колір: чорний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; вилка; IP68; автоматика; Колір: чорний

5058,93 грн

Довжина проводу:
2м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP68
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А

154,59 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
15x7,4x8,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Кристал; 18пФ; SMD; ESR: 40Ом; 20МГц; Стаб.част: ±50ppm; -20÷70°C
Кристал; 18пФ; SMD; ESR: 40Ом; 20МГц; Стаб.част: ±50ppm; -20÷70°C

14,76 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
40Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 1,8мФ; 63ВDC; Ø18x35мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 1,8мФ; 63ВDC; Ø18x35мм; ±20%

126,71 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
35мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD