IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C16M16SA-6TANTR
956,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS4C16M16SA-6TANTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 16Mx16 бит
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 5,4нс
Недоступний
Резистор: thin film; 942Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 942Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,9пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; 0201

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,9пФ
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 8A/250ВAC; G2RL
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 8A/250ВAC; G2RL

214,14 грн

Виводи:
для друку
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPST-NO
Макс. струм контактів:
8А
Недоступний
Резистор: thick film; 26,1Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 26,1Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,09 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; 300В; PIN: 3
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний,гніздовий; 300В; PIN: 3

12,99 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 6,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 6,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

16,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 2,5В; 500мА; DFN8
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 2,5В; 500мА; DFN8

32,63 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Вихідна напруга:
2,5В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD