IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 200МГц; 35нс; FBGA24; -40÷85°C; лоток

Немає в наявності
Код товару: S80KS2563GABHA020
408,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 676
Крок додавання: 676
Код товару: S80KS2563GABHA020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: DRAM
Вид упаковки: лоток
Інтерфейс: HyperBus
Корпус: FBGA24
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...2В DC
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 35нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,24Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2CF
Резистор: thick film; 1,24Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2CF

2,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; TO263; 25Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; TO263; 25Вт; ±5%; 500В; -55÷155°C

197,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Кількість в наборі/упаковці:
500шт.
Корпус:
TO263
Недоступний
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

0,21 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

873,67 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,125А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,2пФ
Недоступний
Діод: TVS; 10,45В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 10,45В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; ролик,cтрічка

784,97 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
8,4В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD