IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 2Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C8M32S-7TCN
755,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C8M32S-7TCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP86
Монтаж: SMD
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 2Mx32битx4
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 5,4нс
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 90Ом; 1,6Вт; 10мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 90Ом; 1,6Вт; 10мс

98,83 грн

Виводи:
конектори
Кількість пін:
4
Конструкція:
захисний діод; одна обмотка
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: шунт; 0,5мОм; SMD; 9Вт; ±1%; -65÷170°C; 1000шт.
Резистор: шунт; 0,5мОм; SMD; 9Вт; ±1%; -65÷170°C; 1000шт.

41,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; 680нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 680нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,87 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В

2,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 1,96кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,96кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,96кОм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 220нФ; 630В; 25x12x7мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 220нФ; 630В; 25x12x7мм; THT

3,14 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
4,3кОм
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

901,55 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD