1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54

IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54
Немає в наявності
Код товару: IS42RM16160K-75BLI
354,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 348
Крок додавання: 348
Код товару: IS42RM16160K-75BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,3...3В DC
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx16битx4
Тактова частота: 133МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7,5нс
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

0,58 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 301кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 301кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
301кОм
Недоступний
Діод: TVS; 418В; 670мА; двоспрямована; DO41; 400Вт; BZW04
Діод: TVS; 418В; 670мА; двоспрямована; DO41; 400Вт; BZW04

10,14 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
376В
Корпус:
DO41
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5,14В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5,14В

8,62 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вихідна напруга:
5,14В
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
1,9...5,5В
Недоступний
Запобіжник: плавка; NH3; керамічний,промисловий; 400А; 550ВDC
Запобіжник: плавка; NH3; керамічний,промисловий; 400А; 550ВDC

6791,70 грн

Вид запобіжника:
керамічний; промисловий
Номінальна напруга:
550В DC
Номінальний струм:
0,4кА
Потужність розсіювання:
76Вт
Недоступний
Резистор: thick film; 118Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 118Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Комбінезон; Розмір: XL; чорний; Mix&Match; 240г/м2
Комбінезон; Розмір: XL; чорний; Mix&Match; 240г/м2

1601,62 грн

Вага:
240г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
чорний
Матеріал:
бавовна; еластан; поліестер
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD