IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54

Немає в наявності
Код товару: IS42VM16160K-6BLI
368,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 348
Крок додавання: 348
Код товару: IS42VM16160K-6BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,95В DC
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Діод: випрямний Шотткі; SMA; SMD; 40В; 3А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SMA; SMD; 40В; 3А; ролик,cтрічка

7,73 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
170пФ
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SMA
Конденсатор: поліпропиленовий; R75; 1,5мкФ; 400ВDC; 220ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; R75; 1,5мкФ; 400ВDC; 220ВAC; THT

121,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
30мм
Допуск:
±5%
Ємність:
1,5мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; SMT; 1.5A

164,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷36,8В; 6,9А; односпрямована; SOD123F; ролик
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷36,8В; 6,9А; односпрямована; SOD123F; ролик

15,84 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100ВDC; X7R; 3,2x2,5x2мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 100ВDC; X7R; 3,2x2,5x2мм

48,15 грн

Діелектрик:
X7R
Ємність:
0,1мкФ
Робоча напруга:
100В DC
Розміри корпусу:
3,2x2,5x2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 4,32кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 51нГн; 210мА; R: 1,08Ом; ±5%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 51нГн; 210мА; R: 1,08Ом; ±5%; LQW; 180мм

2,74 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
51нГн
Корпус - дюйм:
0402
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD