1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60

IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60
Немає в наявності
Код товару: IS43R16160F-6BLI
297,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 190
Крок додавання: 190
Код товару: IS43R16160F-6BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR1; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA60
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,5В DC
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 4Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Резистор: metal film; 193Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 193Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; IP69K; на панель
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; IP69K; на панель

420,68 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина кабелю:
299мм
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Захисна кришка; IP67; для проводу; роз'ємів "мама" М8; пластик
Захисна кришка; IP67; для проводу; роз'ємів "мама" М8; пластик

145,72 грн

Застосування роз’ємів:
роз'ємів "мама" М8
Клас герметичності:
IP67
Матеріал корпусу:
пластик
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 36,7В; 11,3А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 36,7В; 11,3А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ

5,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
33В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 60; THT; 3A; 250V

585,40 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,082мкФ; 630ВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,082мкФ; 630ВDC; THT; ±5%

13,68 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
82нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Діод: TVS; 200Вт; 16В; односпрямована; G1F (DO219AB similar)
Діод: TVS; 200Вт; 16В; односпрямована; G1F (DO219AB similar)

3,61 грн

Зворотна напруга макс.:
13,6В
Корпус:
G1F (DO219AB similar)
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
16В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD