IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 4Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84

Немає в наявності
Код товару: IS43DR16160B-25DBL-TR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IS43DR16160B-25DBL-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TWBGA84
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,9В DC
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча температура: 0...85°C
Структура пам'яті: 4Mx16битx4
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Введення; Øмонт.отв: 8мм; Øотв: 4,6мм; EPDM; чорний
Введення; Øмонт.отв: 8мм; Øотв: 4,6мм; EPDM; чорний

44,35 грн

Властивості механічних елементів:
демпфують коливання
Діаметр монтажного отвору:
8мм
Діаметр отвору:
4,6мм
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 16ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 16ВDC; X5R; ±20%; SMD; 1206

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
47мкФ
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; female; data transfer; on PCBs
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; female; data transfer; on PCBs

145,08 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
15
Недоступний
Резистор: thick film; 324Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 324Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
324Ом
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 3,3мкФ; 250ВDC; 180ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 3,3мкФ; 250ВDC; 180ВAC

127,98 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD