IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 8Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II

Немає в наявності
Код товару: IS42S83200J-7TL
279,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS42S83200J-7TL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 256Мб DRAM
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 8Mx8битx4
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7нс
Датчик: яскравості фону; Uживл: 2÷3,6ВDC; SMT; 2,4x2x0,8мм
Датчик: яскравості фону; Uживл: 2÷3,6ВDC; SMT; 2,4x2x0,8мм

145,08 грн

Зовнішні розміри:
2,4x2x0,8мм
Монтаж:
SMT
Напруга живлення:
2...3,6В DC
Тип датчика:
яскравості фону
Недоступний
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 66А; 30А; Igt: 60мА; SMD
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 66А; 30А; Igt: 60мА; SMD

347,19 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
D3PAK; TO268AA
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,10 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 680нФ; 305В; THT; ±10%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 680нФ; 305В; THT; ±10%; 15мм

7,10 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Монтаж:
THT
Діод: випрямний; THT; 600В; 2А; Ifsm: 50А; DO41; Ammo Pack; 1,5мкс
Діод: випрямний; THT; 600В; 2А; Ifsm: 50А; DO41; Ammo Pack; 1,5мкс

8,24 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; 0201

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,4пФ
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD