IC: пам'ять DRAM; 2ГбDRAM; 128Мx16бит; 800МГц; FBGA96; 0÷95°C

Немає в наявності
Код товару: MT41K128M16JT-125:K TR
289,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MT41K128M16JT-125:K TR
Виробник: MICRON TECHNOLOGY
Вид пам’яті: DDR3L; DRAM; SDRAM
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,283...1,45В
Пам'ять: 2Гб DRAM
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 128Мx16бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THR,THT; 3A

170,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,4мм
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 47В; SMD; DO213AA; 500нА
Діод: зенера; 500мВт; 47В; SMD; DO213AA; 500нА

673,47 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
47В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 28,9÷31,9В; 119А; односпрямована; SMC; 5KMC
Діод: TVS; 5кВт; 28,9÷31,9В; 119А; односпрямована; SMC; 5KMC

50,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
26В
Корпус:
SMC
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.29mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.29mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,29мм
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; Microwire; 512x16; SOIC8; туба
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; Microwire; 512x16; SOIC8; туба

27,37 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thin film; 2,7кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 2,7кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

3,99 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±5%; 15В

0,25 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD