IC: пам'ять DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60

Немає в наявності
Код товару: AS4C256M8D2-25BCNTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C256M8D2-25BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA60
Монтаж: SMD
Пам'ять: 2Гб DRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: 0...85°C
Структура пам'яті: 256Мx8бит
Тактова частота: 400МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 12,5нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 100V

207,17 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 24МГц; VQFN40; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART
IC: мікроконтролер MSP430; 24МГц; VQFN40; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART

159,66 грн

Вид архітектури:
MSP430
Інтерфейс:
I2C; IrDA; LIN; SPI; UART
Кількість таймерів 16бит:
5
Корпус:
VQFN40
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 210Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 210Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Ножниці; для різки кабельних коробів; Дов.інструмента: 280мм
Ножниці; для різки кабельних коробів; Дов.інструмента: 280мм

5776,11 грн

Довжина інструмента:
280мм
Довжина різання:
110мм
Застосування кусачок/ножів:
для різки кабельних коробів
Тип інструмента:
ножниці
Резистор: thick film; 470кОм; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 470кОм; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 12Ом; SMD; 20А; 1210; R: 0,0006Ом; BLE
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 12Ом; SMD; 20А; 1210; R: 0,0006Ом; BLE

21,35 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
12Ом
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD